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LK-AMPD-D Hochgeschwindigkeits-verstärkter Mikrowellen-InGaAs-Fotodetektor
- Hohe Geschwindigkeit, große Bandbreite
- Integriertes Bias-T
- O/E Hybrid Integriert
- Hohe Verstärkung, geringes Rauschen, Breitband
- Hermetisch versiegelter SMA-Anschluss
- Niedriger Dunkelstrom, hohes Signal-Rausch-Verhältnis.
- Kleiner Formfaktor.
Produktbeschreibung*
LK-AMPD-D ist eine Fusion aus optischen und elektronischen Komponenten und verfügt über eine Breitspektrum-InGaAs-Fotodiode und einen rauscharmen Verstärker. Die InGaAs-PIN-Fotodiode hat einen Empfindlichkeitsbereich von 1000 bis 1650 nm. Der rauscharme Verstärker bietet eine HF-Verstärkung von 30 dB.
LK-AMPD-D kann Bandbreiten von entweder 12 GHz oder 20 GHz liefern. Dieses Gerät funktioniert mit einer +9-V-Stromversorgung. Es ist für den Einsatz mit der Standard-Singlemode-Glasfaser 9/125 μm als Eingang ausgelegt. Der HF-Ausgang verfügt über einen SMA-Stecker, dessen Impedanz auf 50 Ohm angepasst ist.
LK-AMPD-D ist so abgedichtet, dass das Eindringen von Feuchtigkeit und anderen Verunreinigungen verhindert wird, und es wiegt weniger als 23 Gramm. Es ist zertifiziert und erfüllt die Anforderungen der Richtlinie 2.0 zur Beschränkung der Verwendung bestimmter gefährlicher Stoffe (RoHS).
Technische Spezifikationen
| Typische und absolute Maximalleistung | ||||
|---|---|---|---|---|
| Parameter | Sym. | Höhe | Rating | Einheit |
| Temperaturbereich zur Lagerung | TSTG | -45 ～ +85 | -55 ～ +100 | ℃ |
| Betriebstemperaturbereich des Gehäuses | TC | 25 | -40 ～ +85 | ℃ |
| Vorspannung | VR | +9 | +9 ～ +12 | V |
| Optische Eingangsleistung | Pin | 0 | +10 | dBm |
| Ausgebrannte optische Leistung | PB | - | +13 | dBm |
| Löttemperatur für Blei | Tp | 280（10s） | 330（10s） | ℃ |
| Elektrische / Optische Eigenschaften ( TC = 22 ± 3 ℃ ) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Parameter | Sym | Testbedingung | Parameterwerte | Einheit | ||
| Wellenlängenbereich | λ | - | 1000 – 1650 | nm | ||
| Frequenzbereich | - | - | X - Band | Ku - Band | - | |
| Kleine Signalbandbreite | f-3dB | TC = 22 ± 3℃ | 0 bis 3 | 2 – 20 | GHz | |
| Reaktionsfähigkeit | Re | VR =+9V, Pin =10mW | λ = 1310 nm | ≥ 0.8 | ≥ 0.85 | A / W. |
| λ = 1550 nm | ≥ 0.85 | ≥ 0.8 | ||||
| Amplitudenflachheit | A | TC =-45～+85 ℃ | ≤ ± 2 | dB | ||
| Optische Sättigungsleistung | Ps | VR = +9 V, λ = 1550 nm AC moduliert | +10 | dBm | ||
| HF-Signalverstärkung | G | - | 30 ± 1 | dB | ||
| Sättigungs-HF-Ausgangsleistung | P | - | +10 | dBm | ||
| VSWR ausgeben | VSWR | - | ≤ 2 | - | ||
| Ausgangsimpedanz | RL | - | 50 | Ω | ||
●Typische Reaktionskurven
(Abb. 1 Frequenzgang des X-Band-Fotodetektors)
(Abb. 2 Frequenzgang des Ku-Band-Fotodetektors)
●Abmessungen und Stifte (Einheit: mm[Zoll])
HF-Anschluss: SMA
●Bestellinformationen
Blatt 1:
| Code | HF-Signalverstärkung | Anmerkung |
| D | 30 dB | Typische und Mittenfrequenz |
Blatt 2:
| Code | Analoge Bandbreite |
| X | 0 bis 3 GHz |
| Ku | 2 ～ 20 GHz |
Blatt 3:
| Code | Anschlusstyp | Anmerkung |
| N | Kein Stecker | Singlemode 9/125 μm Glasfaser-Pigtail |
| A | FC / APC | |
| P | FC / PC |
●Sicherheitsvorkehrungen
Der Biegeradius der Faser darf nicht weniger als 20 mm betragen, um eine Beschädigung der Faser zu vermeiden.
Stellen Sie sicher, dass die Glasfaser-Kopplungsfacette sauber ist, bevor Sie sie an den optischen Schaltkreis anschließen.
Bei Lagerung, Transport und Anwendung ist ein geeigneter ESD-Schutz erforderlich.
Alle unsere Standard-Fotodetektoren können zu Modulen angepasst werden!
Anwendungen
Radar-Informationsverarbeitung
Elektronische Kriegsführung
Antennenmessung
Glasfaserkommunikation
Sicherheit und Überwachung
